WMT04N10TS - описание и поиск аналогов

 

WMT04N10TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMT04N10TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для WMT04N10TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMT04N10TS даташит

 ..1. Size:981K  way-on
 wmt04n10ts.pdf pdf_icon

WMT04N10TS

WMT04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT04N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 3.5A DS D R

 9.1. Size:673K  way-on
 wmt04p06ts.pdf pdf_icon

WMT04N10TS

WMT04P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT04P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -60V, I = -3.8A DS D R

 9.2. Size:1003K  way-on
 wmt04p10ts.pdf pdf_icon

WMT04N10TS

Другие MOSFET... WMS15N03T1 , WMS15P02T1 , WMS175DN10LG4 , WMS175N10HG4 , WMS175N10LG4 , WMS17P03TS , WMS240N10LG2 , WMS690N15HG2 , AON7410 , WMT04P06TS , WMT04P10TS , WMT05N10T1 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS , WMU080N10HG2 .

History: BRCS26N50PH | HM2302 | LSGC04R029 | KP739V | LSGC10R080W3 | MTD2955VT4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.