WMT04P06TS Todos los transistores

 

WMT04P06TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMT04P06TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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WMT04P06TS datasheet

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WMT04P06TS

WMT04P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT04P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -60V, I = -3.8A DS D R

 8.1. Size:1003K  way-on
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WMT04P06TS

 9.1. Size:981K  way-on
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WMT04P06TS

WMT04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT04N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 3.5A DS D R

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