WMT04P06TS Todos los transistores

 

WMT04P06TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMT04P06TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de WMT04P06TS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMT04P06TS PDF Specs

 ..1. Size:673K  way-on
 wmt04p06ts.pdf pdf_icon

WMT04P06TS

WMT04P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT04P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -60V, I = -3.8A DS D R ... See More ⇒

 8.1. Size:1003K  way-on
 wmt04p10ts.pdf pdf_icon

WMT04P06TS

... See More ⇒

 9.1. Size:981K  way-on
 wmt04n10ts.pdf pdf_icon

WMT04P06TS

WMT04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT04N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 3.5A DS D R ... See More ⇒

Otros transistores... WMS15P02T1 , WMS175DN10LG4 , WMS175N10HG4 , WMS175N10LG4 , WMS17P03TS , WMS240N10LG2 , WMS690N15HG2 , WMT04N10TS , 12N60 , WMT04P10TS , WMT05N10T1 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS , WMU080N10HG2 , IRF9317TR .

 

 
Back to Top

 


 
.