WMT04P06TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMT04P06TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMT04P06TS

WMT04P06TS Datasheet (PDF)

..1. Size:673K way-on
wmt04p06ts.pdf

WMT04P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -60V, I = -3.8A DS DR

8.1. Size:1003K way-on
wmt04p10ts.pdf

WMT04P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -100V, I = -3.6A DS DR

9.1. Size:981K way-on
wmt04n10ts.pdf

WMT04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 3.5A DS DR

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: