WMT04P06TS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WMT04P06TS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WMT04P06TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMT04P06TS даташит

 ..1. Size:673K  way-on
 wmt04p06ts.pdf pdf_icon

WMT04P06TS

WMT04P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT04P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -60V, I = -3.8A DS D R

 8.1. Size:1003K  way-on
 wmt04p10ts.pdf pdf_icon

WMT04P06TS

 9.1. Size:981K  way-on
 wmt04n10ts.pdf pdf_icon

WMT04P06TS

WMT04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT04N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 3.5A DS D R

Другие IGBT... WMS15P02T1, WMS175DN10LG4, WMS175N10HG4, WMS175N10LG4, WMS17P03TS, WMS240N10LG2, WMS690N15HG2, WMT04N10TS, 5N65, WMT04P10TS, WMT05N10T1, WMT05N12TS, WMT07N03T1, WMT07N06TS, WMT07N10TS, WMU080N10HG2, IRF9317TR