Справочник MOSFET. WMT04P06TS

 

WMT04P06TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMT04P06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
   Время нарастания (tr): 66 ns
   Выходная емкость (Cd): 59 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для WMT04P06TS

 

 

WMT04P06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  way-on
 wmt04p06ts.pdf

WMT04P06TS WMT04P06TS

WMT04P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -60V, I = -3.8A DS DR

 8.1. Size:1003K  way-on
 wmt04p10ts.pdf

WMT04P06TS WMT04P06TS

WMT04P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -100V, I = -3.6A DS DR

 9.1. Size:981K  way-on
 wmt04n10ts.pdf

WMT04P06TS WMT04P06TS

WMT04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 3.5A DS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top