Справочник MOSFET. WMT04P06TS

 

WMT04P06TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMT04P06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
   Время нарастания (tr): 66 ns
   Выходная емкость (Cd): 59 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для WMT04P06TS

 

 

WMT04P06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  way-on
wmt04p06ts.pdf

WMT04P06TS
WMT04P06TS

WMT04P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -60V, I = -3.8A DS DR

 8.1. Size:1003K  way-on
wmt04p10ts.pdf

WMT04P06TS
WMT04P06TS

WMT04P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = -100V, I = -3.6A DS DR

 9.1. Size:981K  way-on
wmt04n10ts.pdf

WMT04P06TS
WMT04P06TS

WMT04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 3.5A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFZ48N , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top