WMT05N10T1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMT05N10T1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT223

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WMT05N10T1 datasheet

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WMT05N10T1

WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS D R

 7.1. Size:632K  way-on
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WMT05N10T1

WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS D R

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