WMT05N10T1 Todos los transistores

 

WMT05N10T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMT05N10T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de WMT05N10T1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: WMT05N10T1

 ..1. Size:508K  way-on
 wmt05n10t1.pdf pdf_icon

WMT05N10T1

WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS D R

 7.1. Size:632K  way-on
 wmt05n12ts.pdf pdf_icon

WMT05N10T1

WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS D R

Otros transistores... WMS175N10HG4 , WMS175N10LG4 , WMS17P03TS , WMS240N10LG2 , WMS690N15HG2 , WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , IRF1010E , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS , WMU080N10HG2 , IRF9317TR , SL002P02K , SL05N06A .

 

 
Back to Top

 


 
.