Справочник MOSFET. WMT05N10T1

 

WMT05N10T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMT05N10T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMT05N10T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  way-on
 wmt05n10t1.pdf pdf_icon

WMT05N10T1

WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS DR

 7.1. Size:632K  way-on
 wmt05n12ts.pdf pdf_icon

WMT05N10T1

WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HSCB2012 | NCEP85T25VD | WMT07N03T1 | WMS175DN10LG4 | WMR15N02T1 | NCEP85T30LL | HSCA2030

 

 
Back to Top

 


 
.