WMT05N10T1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WMT05N10T1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WMT05N10T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMT05N10T1 даташит

 ..1. Size:508K  way-on
 wmt05n10t1.pdf pdf_icon

WMT05N10T1

WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS D R

 7.1. Size:632K  way-on
 wmt05n12ts.pdf pdf_icon

WMT05N10T1

WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS D R

Другие IGBT... WMS175N10HG4, WMS175N10LG4, WMS17P03TS, WMS240N10LG2, WMS690N15HG2, WMT04N10TS, WMT04P06TS, WMT04P10TS, IRF1010E, WMT05N12TS, WMT07N03T1, WMT07N06TS, WMT07N10TS, WMU080N10HG2, IRF9317TR, SL002P02K, SL05N06A