Справочник MOSFET. WMT05N10T1

 

WMT05N10T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMT05N10T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13.9 nC
   Время нарастания (tr): 28 ns
   Выходная емкость (Cd): 32 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для WMT05N10T1

 

 

WMT05N10T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  way-on
 wmt05n10t1.pdf

WMT05N10T1 WMT05N10T1

WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS DR

 7.1. Size:632K  way-on
 wmt05n12ts.pdf

WMT05N10T1 WMT05N10T1

WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top