Справочник MOSFET. WMT05N10T1

 

WMT05N10T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMT05N10T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для WMT05N10T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMT05N10T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  way-on
 wmt05n10t1.pdf pdf_icon

WMT05N10T1

WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS DR

 7.1. Size:632K  way-on
 wmt05n12ts.pdf pdf_icon

WMT05N10T1

WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS DR

Другие MOSFET... WMS175N10HG4 , WMS175N10LG4 , WMS17P03TS , WMS240N10LG2 , WMS690N15HG2 , WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , IRF530 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS , WMU080N10HG2 , IRF9317TR , SL002P02K , SL05N06A .

History: IRL60HS118 | WST2066 | IRLB8743

 

 
Back to Top

 


 
.