WMT05N10T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMT05N10T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для WMT05N10T1
WMT05N10T1 Datasheet (PDF)
wmt05n10t1.pdf

WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS DR
wmt05n12ts.pdf

WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS DR
Другие MOSFET... WMS175N10HG4 , WMS175N10LG4 , WMS17P03TS , WMS240N10LG2 , WMS690N15HG2 , WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , IRF530 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS , WMU080N10HG2 , IRF9317TR , SL002P02K , SL05N06A .
History: R6530KNZ1 | AUIRLS3114Z | CHM4060APAGP | FDP053N08B | SSF10N60F | YPN438S | 2N7016
History: R6530KNZ1 | AUIRLS3114Z | CHM4060APAGP | FDP053N08B | SSF10N60F | YPN438S | 2N7016



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0608PU | JMSL0608PP | JMSL0608PK | JMSL0608PGD | JMSL0608PG | JMSL0606PU | JMSL0606PG | JMSL0606PE | JMSL0606AUQ | JMSL0606AU | JMSL0606AP | JMSL0606AKQ | JMSL0606AK | JMSL0606AGWQ | JMSL0606AGQ | JMSL0606AGD
Popular searches
2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20