WMT05N12TS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMT05N12TS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: SOT223

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WMT05N12TS datasheet

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WMT05N12TS

WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS D R

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WMT05N12TS

WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS D R

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