WMT05N12TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMT05N12TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Время нарастания (tr): 5.2 ns
Выходная емкость (Cd): 54 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для WMT05N12TS
WMT05N12TS Datasheet (PDF)
wmt05n12ts.pdf
WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS DR
wmt05n10t1.pdf
WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
