Справочник MOSFET. WMT05N12TS

 

WMT05N12TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMT05N12TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
   Время нарастания (tr): 5.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 54 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для WMT05N12TS

 

 

WMT05N12TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  way-on
 wmt05n12ts.pdf

WMT05N12TS WMT05N12TS

WMT05N12TS 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N12TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 120V, I = 4.6A DS DR

 7.1. Size:508K  way-on
 wmt05n10t1.pdf

WMT05N12TS WMT05N12TS

WMT05N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT05N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 5A DS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top