WMT07N10TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMT07N10TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 4.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 14.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 29 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 56 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMT07N10TS

WMT07N10TS Datasheet (PDF)

..1. Size:994K way-on
wmt07n10ts.pdf

WMT07N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 6.8A DS DR

8.1. Size:514K way-on
wmt07n06ts.pdf

WMT07N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 60V, I = 7A DS D R

8.2. Size:469K way-on
wmt07n03t1.pdf

WMT07N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 30V, I = 7A DS DR

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History: IRFP431 | BUK9515-100A | IRF530FI

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: