Справочник MOSFET. WMT07N10TS

 

WMT07N10TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMT07N10TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14.2 nC
   Время нарастания (tr): 29 ns
   Выходная емкость (Cd): 56 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.088 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для WMT07N10TS

 

 

WMT07N10TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:994K  way-on
wmt07n10ts.pdf

WMT07N10TS
WMT07N10TS

WMT07N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 6.8A DS DR

 8.1. Size:514K  way-on
wmt07n06ts.pdf

WMT07N10TS
WMT07N10TS

WMT07N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 60V, I = 7A DS D R

 8.2. Size:469K  way-on
wmt07n03t1.pdf

WMT07N10TS
WMT07N10TS

WMT07N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 30V, I = 7A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFZ48N , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top