WMT07N10TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMT07N10TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14.2 nC
Время нарастания (tr): 29 ns
Выходная емкость (Cd): 56 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.088 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для WMT07N10TS
WMT07N10TS Datasheet (PDF)
wmt07n10ts.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WMT07N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 6.8A DS DR
wmt07n06ts.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WMT07N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 60V, I = 7A DS D R
wmt07n03t1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WMT07N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 30V, I = 7A DS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .