WMT07N10TS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WMT07N10TS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WMT07N10TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMT07N10TS даташит

 ..1. Size:994K  way-on
 wmt07n10ts.pdf pdf_icon

WMT07N10TS

WMT07N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT07N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 6.8A DS D R

 8.1. Size:514K  way-on
 wmt07n06ts.pdf pdf_icon

WMT07N10TS

WMT07N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT07N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 60V, I = 7A DS D R

 8.2. Size:469K  way-on
 wmt07n03t1.pdf pdf_icon

WMT07N10TS

WMT07N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT07N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 30V, I = 7A DS D R

Другие IGBT... WMS690N15HG2, WMT04N10TS, WMT04P06TS, WMT04P10TS, WMT05N10T1, WMT05N12TS, WMT07N03T1, WMT07N06TS, CS150N03A8, WMU080N10HG2, IRF9317TR, SL002P02K, SL05N06A, SL05N06Z, SL05N10A, SL1002B, SL100N03R