WMT07N10TS - описание и поиск аналогов

 

Аналоги WMT07N10TS. Основные параметры


   Наименование производителя: WMT07N10TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для WMT07N10TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMT07N10TS даташит

 ..1. Size:994K  way-on
 wmt07n10ts.pdf pdf_icon

WMT07N10TS

WMT07N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT07N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 6.8A DS D R

 8.1. Size:514K  way-on
 wmt07n06ts.pdf pdf_icon

WMT07N10TS

WMT07N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT07N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 60V, I = 7A DS D R

 8.2. Size:469K  way-on
 wmt07n03t1.pdf pdf_icon

WMT07N10TS

WMT07N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT07N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 30V, I = 7A DS D R

Другие MOSFET... WMS690N15HG2 , WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , WMT05N10T1 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , CS150N03A8 , WMU080N10HG2 , IRF9317TR , SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R .

 

 
Back to Top

 


 
.