WMU080N10HG2 Todos los transistores

 

WMU080N10HG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMU080N10HG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm

Encapsulados: TO220F

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WMU080N10HG2 datasheet

 ..1. Size:984K  way-on
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WMU080N10HG2

WMU080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMU080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is GD well suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F NL Features V = 100V, I =

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History: JCS4N60S | SSD20N10-130D | NTF5P03T3 | IPD60R600CP

 

 

 


 
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