WMU080N10HG2 Todos los transistores

 

WMU080N10HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMU080N10HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de WMU080N10HG2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMU080N10HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  way-on
 wmu080n10hg2.pdf pdf_icon

WMU080N10HG2

WMU080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMU080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Sresistance and yet maintain superior switching performance. This device is GDwell suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F NLFeatures V = 100V, I =

Otros transistores... WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , WMT05N10T1 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS , IRFP450 , IRF9317TR , SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A .

History: NP2301AMR-G | SWF6N80D | SSP90R900S2 | ISCD3NK80Z | SFP3710G

 

 
Back to Top

 


 
.