WMU080N10HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMU080N10HG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de WMU080N10HG2 MOSFET
WMU080N10HG2 Datasheet (PDF)
wmu080n10hg2.pdf

WMU080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMU080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Sresistance and yet maintain superior switching performance. This device is GDwell suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F NLFeatures V = 100V, I =
Otros transistores... WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , WMT05N10T1 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS , IRFP450 , IRF9317TR , SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A .
History: SI2310 | SQJ956EP | STD628S | SL100N03R | STB30NM50N | IPZ40N04S5-3R1 | MCT06P10
History: SI2310 | SQJ956EP | STD628S | SL100N03R | STB30NM50N | IPZ40N04S5-3R1 | MCT06P10



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b