WMU080N10HG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMU080N10HG2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для WMU080N10HG2
WMU080N10HG2 Datasheet (PDF)
wmu080n10hg2.pdf

WMU080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMU080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Sresistance and yet maintain superior switching performance. This device is GDwell suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F NLFeatures V = 100V, I =
Другие MOSFET... WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , WMT05N10T1 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS , IRFP450 , IRF9317TR , SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A .
History: 11P50A | NTMFS5C645NLT3G | STP40N20 | SIHG70N60EF | NTD14N03R-1G | APT12080B2VFR | 6N80
History: 11P50A | NTMFS5C645NLT3G | STP40N20 | SIHG70N60EF | NTD14N03R-1G | APT12080B2VFR | 6N80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b