Справочник MOSFET. WMU080N10HG2

 

WMU080N10HG2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMU080N10HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 25.4 nC
   Время нарастания (tr): 4.1 ns
   Выходная емкость (Cd): 395 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для WMU080N10HG2

 

 

WMU080N10HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  way-on
wmu080n10hg2.pdf

WMU080N10HG2
WMU080N10HG2

WMU080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMU080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Sresistance and yet maintain superior switching performance. This device is GDwell suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F NLFeatures V = 100V, I =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFZ48N , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top