WMU080N10HG2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WMU080N10HG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25.4 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WMU080N10HG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMU080N10HG2 даташит

 ..1. Size:984K  way-on
 wmu080n10hg2.pdf pdf_icon

WMU080N10HG2

WMU080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMU080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is GD well suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F NL Features V = 100V, I =

Другие IGBT... WMT04N10TS, WMT04P06TS, WMT04P10TS, WMT05N10T1, WMT05N12TS, WMT07N03T1, WMT07N06TS, WMT07N10TS, NCEP15T14, IRF9317TR, SL002P02K, SL05N06A, SL05N06Z, SL05N10A, SL1002B, SL100N03R, SL10N06A