WMU080N10HG2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMU080N10HG2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25.4 nC
Время нарастания (tr): 4.1 ns
Выходная емкость (Cd): 395 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для WMU080N10HG2
WMU080N10HG2 Datasheet (PDF)
..1. Size:984K way-on
wmu080n10hg2.pdf
wmu080n10hg2.pdf
WMU080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMU080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Sresistance and yet maintain superior switching performance. This device is GDwell suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F NLFeatures V = 100V, I =
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: WML100N07TS
