Справочник MOSFET. WMU080N10HG2

 

WMU080N10HG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMU080N10HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WMU080N10HG2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMU080N10HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  way-on
 wmu080n10hg2.pdf pdf_icon

WMU080N10HG2

WMU080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMU080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state Sresistance and yet maintain superior switching performance. This device is GDwell suited for high efficiency fast switching performance. TO-220F NLFeatures V = 100V, I =

Другие MOSFET... WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , WMT05N10T1 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , WMT07N06TS , WMT07N10TS , IRFP450 , IRF9317TR , SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A .

History: WMK115N15HG4 | 2SJ552

 

 
Back to Top

 


 
.