STF06N20 Todos los transistores

 

STF06N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF06N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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STF06N20 datasheet

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STF06N20

STP06N20 Green Product STF06N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 1.1 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. 200V 5A 1.3 @ VGS=4.5V D G G D S G D S STP SERIES STF SERIES TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXI

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History: IRFU3704ZPBF | OSG65R290FEF | AGM409D

 

 

 

 

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