STF06N20 Todos los transistores

 

STF06N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF06N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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STF06N20 Datasheet (PDF)

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STF06N20

STP06N20GreenProductSTF06N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.1.1 @ VGS=10VTO-220 and TO-220F Package.200V 5A1.3 @ VGS=4.5VDGG D S G D SSTP SERIES STF SERIESTO-220 TO-220FSABSOLUTE MAXI

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History: WMP08N70EM | STF3N62K3 | RU6H7R | BSN20 | WMK110N20HG2 | AS2318 | IRFB3207ZPBF

 

 
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