STF06N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STF06N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STF06N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF06N20 даташит

 ..1. Size:207K  samhop
 stf06n20.pdf pdf_icon

STF06N20

STP06N20 Green Product STF06N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 1.1 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. 200V 5A 1.3 @ VGS=4.5V D G G D S G D S STP SERIES STF SERIES TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXI

Другие IGBT... STF2454A, FDS2734, FDS3512, FDS3572, FDS3590, FDS3672, STF2454, FDS3692, STP80NF70, FDS3890, FDS3992, STE339S, FDS4141, FDS4141F085, FDS4435BZ, FDS4435BZF085, FDS4465