SL10P04S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL10P04S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de SL10P04S MOSFET
SL10P04S Datasheet (PDF)
sl10p04s.pdf

SL10P04SDescriptionThis P-Channel MOSFET uses advanced trench technology andDdesign to provide excellent R with low gate charge.DS(on)DDIt can be used in a wide variety of applications.DS1SSFeaturesG1) V =-40V,I =-10A,R
Otros transistores... SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , 5N65 , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A .
History: SSM9585GM | SP8K1TB | IPP77N06S2-12 | VN10KE | CS3N40A4H | STP8NM60 | FCH072N60
History: SSM9585GM | SP8K1TB | IPP77N06S2-12 | VN10KE | CS3N40A4H | STP8NM60 | FCH072N60



Liste
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