SL10P04S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL10P04S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: SOP8
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SL10P04S datasheet
sl10p04s.pdf
SL10P04S Description This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and D design to provide excellent R with low gate charge. DS(on) D D It can be used in a wide variety of applications. D S1 S S Features G 1) V =-40V,I =-10A,R
Otros transistores... SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , 2SK3568 , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A .
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