SL10P04S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL10P04S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SL10P04S
SL10P04S Datasheet (PDF)
sl10p04s.pdf

SL10P04SDescriptionThis P-Channel MOSFET uses advanced trench technology andDdesign to provide excellent R with low gate charge.DS(on)DDIt can be used in a wide variety of applications.DS1SSFeaturesG1) V =-40V,I =-10A,R
Другие MOSFET... SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , 5N65 , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A .
History: SL100N03R | MCT06P10 | SI2310 | STB30NM50N | STD628S | IPZ40N04S5-3R1
History: SL100N03R | MCT06P10 | SI2310 | STB30NM50N | STD628S | IPZ40N04S5-3R1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554