Справочник MOSFET. SL10P04S

 

SL10P04S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL10P04S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SL10P04S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL10P04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1921K  slkor
sl10p04s.pdfpdf_icon

SL10P04S

SL10P04SDescriptionThis P-Channel MOSFET uses advanced trench technology andDdesign to provide excellent R with low gate charge.DS(on)DDIt can be used in a wide variety of applications.DS1SSFeaturesG1) V =-40V,I =-10A,R

Другие MOSFET... SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , 5N65 , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A .

History: 2SJ520 | MTN9N50FP | PSP06N70 | SMD4N65 | IPP12CN10NG | IRFS231 | MS10N65

 

 
Back to Top

 


 
.