SL120N03R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL120N03R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1710 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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SL120N03R datasheet
sl120n03r.pdf
SL120N03R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This Power MOSFET is produced using advanced Trench technology. This devices provide an excellent gate charge and RDS(on), which leads to extremely communication and conduction losses. So it is very suitable for AC/DC power conversion, load switch and industrial power applications. Features PDFN5*6-8L VDS=30V I
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History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP
History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP
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Liste
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