SL120N03R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL120N03R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 69 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1710 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0015 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
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SL120N03R Datasheet (PDF)
..1. Size:1172K slkor
sl120n03r.pdf
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SL120N03R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription This Power MOSFET is produced using advanced Trench technology. This devices provide an excellent gate charge and RDS(on), which leads to extremely communication and conduction losses. So it is very suitable for AC/DC power conversion, load switch and industrial power applications. Features PDFN5*6-8L VDS=30VI
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