SL120N03R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SL120N03R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1710 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для SL120N03R
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SL120N03R даташит
sl120n03r.pdf
SL120N03R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This Power MOSFET is produced using advanced Trench technology. This devices provide an excellent gate charge and RDS(on), which leads to extremely communication and conduction losses. So it is very suitable for AC/DC power conversion, load switch and industrial power applications. Features PDFN5*6-8L VDS=30V I
Другие MOSFET... SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , SL10P04S , 10N65 , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R .
History: IRF623FI | SM6012NSU | CS3N50B4 | CS8N90FA9 | STF23N80K5 | GPT09N50D
History: IRF623FI | SM6012NSU | CS3N50B4 | CS8N90FA9 | STF23N80K5 | GPT09N50D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560

