Справочник MOSFET. SL120N03R

 

SL120N03R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL120N03R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для SL120N03R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL120N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1172K  slkor
 sl120n03r.pdf pdf_icon

SL120N03R

SL120N03R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription This Power MOSFET is produced using advanced Trench technology. This devices provide an excellent gate charge and RDS(on), which leads to extremely communication and conduction losses. So it is very suitable for AC/DC power conversion, load switch and industrial power applications. Features PDFN5*6-8L VDS=30VI

Другие MOSFET... SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , SL10P04S , STP80NF70 , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R .

History: SMG2319P | SI4416DY | RU30120S | SST110 | NP90N055NUH | SMK0460I

 

 
Back to Top

 


 
.