SL12N100T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL12N100T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 272 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 43 nC
   Tiempo de subida (tr): 116 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 189 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL12N100T

SL12N100T Datasheet (PDF)

..1. Size:4585K slkor
sl12n100t sl12n100k sl12n100 sl12n100f.pdf

SL12N100Features Low gate charge Low C (typ 13pF)rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS productApplications High frequency switching mode power supply Electronic ballast based on half bridge LED power suppliesAbsolute Ratings (Tc=25)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V 1000 VDSS12 AI T

7.1. Size:730K slkor
sl12n10.pdf

SL12N10 100V/12A N-Channel MOSFETFeatures Super high density cell design Product Summaryfor extremely low RDS(ON) VDS RDS(ON) MAX ID MAX Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 160m@10VD2S1100V 12AD1180m@4.5VApplication Power Management in Note book DC/DC Converter D Load Switch LCD Display inverter DDGS

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Liste

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