Справочник MOSFET. SL12N100T

 

SL12N100T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SL12N100T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 116 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SL12N100T

 

 

SL12N100T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4585K  slkor
 sl12n100t sl12n100k sl12n100 sl12n100f.pdf

SL12N100T SL12N100T

SL12N100Features Low gate charge Low C (typ 13pF)rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS productApplications High frequency switching mode power supply Electronic ballast based on half bridge LED power suppliesAbsolute Ratings (Tc=25)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V 1000 VDSS12 AI T

 7.1. Size:730K  slkor
 sl12n10.pdf

SL12N100T SL12N100T

SL12N10 100V/12A N-Channel MOSFETFeatures Super high density cell design Product Summaryfor extremely low RDS(ON) VDS RDS(ON) MAX ID MAX Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 160m@10VD2S1100V 12AD1180m@4.5VApplication Power Management in Note book DC/DC Converter D Load Switch LCD Display inverter DDGS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top