SL12P03S Todos los transistores

 

SL12P03S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL12P03S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SL12P03S datasheet

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SL12P03S

SL12P03S 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench -30V 9.5 m -12 A technology SOP8 Pin Configuration General Description The SL12P03S is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for mos

Otros transistores... SL10N10A , SL10P04S , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , 20N50 , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 .

History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP

 

 

 

 

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