SL12P03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL12P03S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL12P03S
SL12P03S Datasheet (PDF)
..1. Size:2088K slkor
sl12p03s.pdf
sl12p03s.pdf
SL12P03S 100% EAS GuaranteedProduct Summary Green Device Available Super Low Gate ChargeBVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench -30V 9.5 m -12 AtechnologySOP8 Pin ConfigurationGeneral DescriptionThe SL12P03S is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for mos
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
