SL12P03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL12P03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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SL12P03S Datasheet (PDF)

..1. Size:2088K slkor
sl12p03s.pdf

SL12P03S 100% EAS GuaranteedProduct Summary Green Device Available Super Low Gate ChargeBVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench -30V 9.5 m -12 AtechnologySOP8 Pin ConfigurationGeneral DescriptionThe SL12P03S is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for mos

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History: TMP10N65H | F5033

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: