SL12P03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL12P03S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
- Selección de transistores por parámetros
SL12P03S Datasheet (PDF)
sl12p03s.pdf

SL12P03S 100% EAS GuaranteedProduct Summary Green Device Available Super Low Gate ChargeBVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench -30V 9.5 m -12 AtechnologySOP8 Pin ConfigurationGeneral DescriptionThe SL12P03S is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for mos
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK3510 | 2N5950 | KPCF8402 | STB200N6F3 | HFP9N50 | SWB10N65K2
History: 2SK3510 | 2N5950 | KPCF8402 | STB200N6F3 | HFP9N50 | SWB10N65K2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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