SL12P03S - описание и поиск аналогов

 

SL12P03S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL12P03S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 233 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SL12P03S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL12P03S даташит

 ..1. Size:2088K  slkor
 sl12p03s.pdf pdf_icon

SL12P03S

SL12P03S 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge BVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench -30V 9.5 m -12 A technology SOP8 Pin Configuration General Description The SL12P03S is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for mos

Другие MOSFET... SL10N10A , SL10P04S , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , 20N50 , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 .

History: IRF623FI | 2SJ118

 

 

 

 

↑ Back to Top
.