Справочник MOSFET. SL12P03S

 

SL12P03S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL12P03S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 233 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SL12P03S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL12P03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2088K  slkor
 sl12p03s.pdf pdf_icon

SL12P03S

SL12P03S 100% EAS GuaranteedProduct Summary Green Device Available Super Low Gate ChargeBVDSS RDSON ID Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench -30V 9.5 m -12 AtechnologySOP8 Pin ConfigurationGeneral DescriptionThe SL12P03S is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for mos

Другие MOSFET... SL10N10A , SL10P04S , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , 2N60 , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.