FDS3890 Todos los transistores

 

FDS3890 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS3890
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de FDS3890 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDS3890 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  fairchild semi
 fds3890.pdf pdf_icon

FDS3890

February 2001 FDS3890 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed4.7 A, 80 V. RDS(ON) = 44 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 50 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Fast switching spe

Otros transistores... FDS2734 , FDS3512 , FDS3572 , FDS3590 , FDS3672 , STF2454 , FDS3692 , STF06N20 , P60NF06 , FDS3992 , STE339S , FDS4141 , FDS4141F085 , FDS4435BZ , FDS4435BZF085 , FDS4465 , FDS4465F085 .

History: 2SJ197 | IRFB41N15D | 2SK1009-01 | FDS3692

 

 
Back to Top

 


 
.