FDS3890 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDS3890
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 171 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044 Ohm
Тип корпуса: SO-8
FDS3890 Datasheet (PDF)
..1. Size:85K fairchild semi
fds3890.pdf
fds3890.pdf
February 2001 FDS3890 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed4.7 A, 80 V. RDS(ON) = 44 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 50 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Fast switching spe
Другие MOSFET... FDS2734 , FDS3512 , FDS3572 , FDS3590 , FDS3672 , STF2454 , FDS3692 , STF06N20 , 2N60 , FDS3992 , STE339S , FDS4141 , FDS4141F085 , FDS4435BZ , FDS4435BZF085 , FDS4465 , FDS4465F085 .
