FDS3890 - описание и поиск аналогов

 

FDS3890. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS3890

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS3890

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS3890 даташит

 ..1. Size:85K  fairchild semi
 fds3890.pdf pdf_icon

FDS3890

February 2001 FDS3890 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.7 A, 80 V. RDS(ON) = 44 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 50 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Fast switching spe

Другие MOSFET... FDS2734 , FDS3512 , FDS3572 , FDS3590 , FDS3672 , STF2454 , FDS3692 , STF06N20 , AO4407 , FDS3992 , STE339S , FDS4141 , FDS4141F085 , FDS4435BZ , FDS4435BZF085 , FDS4465 , FDS4465F085 .

History: MPG08N68S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.