Справочник MOSFET. FDS3890

 

FDS3890 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS3890
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS3890

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS3890 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  fairchild semi
 fds3890.pdf pdf_icon

FDS3890

February 2001 FDS3890 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed4.7 A, 80 V. RDS(ON) = 44 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 50 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Fast switching spe

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.