SL15N10A Todos los transistores

 

SL15N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL15N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SL15N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1315K  slkor
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SL15N10A

SL15N10AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100V DSI 15A DR ( at V = 10V) 115mohm DS(ON) GSR ( at V = 4.5V) 1 0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS TestedGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Ap

Otros transistores... SL10P04S , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , CS150N03A8 , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 .

History: HSP200N02 | SQ4005EY | NTMS4807NR2G | IRLR7821C

 

 
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