SL15N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL15N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SL15N10A
SL15N10A Datasheet (PDF)
sl15n10a.pdf

SL15N10AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100V DSI 15A DR ( at V = 10V) 115mohm DS(ON) GSR ( at V = 4.5V) 1 0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS TestedGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Ap
Другие MOSFET... SL10P04S , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , CS150N03A8 , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 .
History: NTR5198NL | HSP200N02 | FDB86363-F085 | 1N60E | SWD70N10V | SWD088R08E8T | FCP190N60
History: NTR5198NL | HSP200N02 | FDB86363-F085 | 1N60E | SWD70N10V | SWD088R08E8T | FCP190N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c