Справочник MOSFET. SL15N10A

 

SL15N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL15N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SL15N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL15N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1315K  slkor
 sl15n10a.pdf pdf_icon

SL15N10A

SL15N10AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100V DSI 15A DR ( at V = 10V) 115mohm DS(ON) GSR ( at V = 4.5V) 1 0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS TestedGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Ap

Другие MOSFET... SL10P04S , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , CS150N03A8 , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 .

History: ST2342 | RUH1H150S-AR

 

 
Back to Top

 


 
.