SL15N10A - описание и поиск аналогов

 

SL15N10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL15N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SL15N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL15N10A даташит

 ..1. Size:1315K  slkor
 sl15n10a.pdf pdf_icon

SL15N10A

SL15N10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 15A D R ( at V = 10V) 115mohm DS(ON) GS R ( at V = 4.5V) 1 0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON) Ap

Другие MOSFET... SL10P04S , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , IRF520 , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 .

History: AGM405F | SI4920DY-T1 | STL7N60M2 | 2SJ387L | SM3117NSU | SM6129NSU | 2SK3572-Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.