SL15N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL15N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: TO252
SL15N10A Datasheet (PDF)
sl15n10a.pdf
SL15N10AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100V DSI 15A DR ( at V = 10V) 115mohm DS(ON) GSR ( at V = 4.5V) 1 0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS TestedGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Ap
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918