SL2016 Todos los transistores

 

SL2016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL2016
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

SL2016 Datasheet (PDF)

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SL2016

SL2016 20V/4.7A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Trench Power LV MOSFET technology47m@4.5VD2 High Power and current handing capability20V 4.7AS1D165m@2.5VApplication PWM applicationD Load switchSDGSOT-23 top view Schematic diagramM16: Device codeM16G SMarking and pin assignment Absolute Maximum Ratings

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: BLF7G27LS-75P | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | IPP60R099P6

 

 
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