SL2016 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL2016
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
Encapsulados: SOT23
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SL2016 datasheet
sl2016.pdf
SL2016 20V/4.7A N-Channel MOSFET Product Summary Features VDS RDS(ON) MAX ID MAX Trench Power LV MOSFET technology 47m @4.5VD2 High Power and current handing capability 20V 4.7A S1 D1 65m @2.5V Application PWM application D Load switch S D G SOT-23 top view Schematic diagram M16 Device code M16 G S Marking and pin assignment Absolute Maximum Ratings
Otros transistores... SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , 2N60 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 , SL2192 , SL2302M , SL2309 , SL2309A .
History: ZXMN6A25KTC | 2SK346 | ISCNH376L | NTD4855N | NTD4856N | 2SK3731 | WPM4803
History: ZXMN6A25KTC | 2SK346 | ISCNH376L | NTD4855N | NTD4856N | 2SK3731 | WPM4803
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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