SL2016 Todos los transistores

 

SL2016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL2016
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SL2016 Datasheet (PDF)

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SL2016

SL2016 20V/4.7A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Trench Power LV MOSFET technology47m@4.5VD2 High Power and current handing capability20V 4.7AS1D165m@2.5VApplication PWM applicationD Load switchSDGSOT-23 top view Schematic diagramM16: Device codeM16G SMarking and pin assignment Absolute Maximum Ratings

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