SL2016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL2016
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de SL2016 MOSFET
SL2016 Datasheet (PDF)
sl2016.pdf

SL2016 20V/4.7A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Trench Power LV MOSFET technology47m@4.5VD2 High Power and current handing capability20V 4.7AS1D165m@2.5VApplication PWM applicationD Load switchSDGSOT-23 top view Schematic diagramM16: Device codeM16G SMarking and pin assignment Absolute Maximum Ratings
Otros transistores... SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , IRF830 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 , SL2192 , SL2302M , SL2309 , SL2309A .
History: 2SK3306 | BSZ130N03LSG
History: 2SK3306 | BSZ130N03LSG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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