SL2016 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL2016
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SL2016
SL2016 Datasheet (PDF)
sl2016.pdf

SL2016 20V/4.7A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Trench Power LV MOSFET technology47m@4.5VD2 High Power and current handing capability20V 4.7AS1D165m@2.5VApplication PWM applicationD Load switchSDGSOT-23 top view Schematic diagramM16: Device codeM16G SMarking and pin assignment Absolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , IRF830 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 , SL2192 , SL2302M , SL2309 , SL2309A .
History: SI2351DS-T1 | SDF150 | SI2302CDS-T1-GE3 | IRF9640L | SL2026 | FCP190N60E | STP19NB20FP
History: SI2351DS-T1 | SDF150 | SI2302CDS-T1-GE3 | IRF9640L | SL2026 | FCP190N60E | STP19NB20FP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet