SL2016 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL2016
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SL2016
SL2016 Datasheet (PDF)
sl2016.pdf
SL2016 20V/4.7A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Trench Power LV MOSFET technology47m@4.5VD2 High Power and current handing capability20V 4.7AS1D165m@2.5VApplication PWM applicationD Load switchSDGSOT-23 top view Schematic diagramM16: Device codeM16G SMarking and pin assignment Absolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , 2N60 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 , SL2192 , SL2302M , SL2309 , SL2309A .
History: SST2605 | PDN6911S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet


