SL20N03 Todos los transistores

 

SL20N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL20N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SL20N03 Datasheet (PDF)

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SL20N03

SL20N03 30V/20A N-Channel MOSFETFeatures Trench Power LV MOSFET technologyProduct Summary High density cell design for low RDS(ON)VDS RDS(ON) MAX ID MAX35m@10VD230V S1 20AD145m@4.5VApplication Battery protection Load switchD Power managementDDGS20N03 : Device code20N03XXXXXX : CodeTO-252 top viewSchematic diagramXXXXXXDS

 9.1. Size:887K  slkor
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SL20N03

SL20N10 N-Channel MOSFETFeatures Product Summary Super high density cell design VDS RDS(ON) MAX ID MAXfor extremely low RDS(ON) 80m@10VD2S1100V 20A Exceptional on-resistance and D1110m@4.5Vmaximum DC current capability ApplicationD Power Management in Note book DC/DC Converter Load Switch LCD Display inverter DGSTO-252 top v

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History: MS23N26 | KIA7N60U | STQ2HNK60ZR-AP | STD20NF10T4

 

 
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