SL20N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL20N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 28.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO252
SL20N03 Datasheet (PDF)
sl20n03.pdf
SL20N03 30V/20A N-Channel MOSFETFeatures Trench Power LV MOSFET technologyProduct Summary High density cell design for low RDS(ON)VDS RDS(ON) MAX ID MAX35m@10VD230V S1 20AD145m@4.5VApplication Battery protection Load switchD Power managementDDGS20N03 : Device code20N03XXXXXX : CodeTO-252 top viewSchematic diagramXXXXXXDS
sl20n10.pdf
SL20N10 N-Channel MOSFETFeatures Product Summary Super high density cell design VDS RDS(ON) MAX ID MAXfor extremely low RDS(ON) 80m@10VD2S1100V 20A Exceptional on-resistance and D1110m@4.5Vmaximum DC current capability ApplicationD Power Management in Note book DC/DC Converter Load Switch LCD Display inverter DGSTO-252 top v
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918