SL20N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL20N03
Маркировка: 20N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17.3 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 28.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SL20N03
SL20N03 Datasheet (PDF)
sl20n03.pdf

SL20N03 30V/20A N-Channel MOSFETFeatures Trench Power LV MOSFET technologyProduct Summary High density cell design for low RDS(ON)VDS RDS(ON) MAX ID MAX35m@10VD230V S1 20AD145m@4.5VApplication Battery protection Load switchD Power managementDDGS20N03 : Device code20N03XXXXXX : CodeTO-252 top viewSchematic diagramXXXXXXDS
sl20n10.pdf

SL20N10 N-Channel MOSFETFeatures Product Summary Super high density cell design VDS RDS(ON) MAX ID MAXfor extremely low RDS(ON) 80m@10VD2S1100V 20A Exceptional on-resistance and D1110m@4.5Vmaximum DC current capability ApplicationD Power Management in Note book DC/DC Converter Load Switch LCD Display inverter DGSTO-252 top v
Другие MOSFET... SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , AO3401 , SL20N10 , SL2102 , SL2192 , SL2302M , SL2309 , SL2309A , SL2314 , SL2318 .
History: FQA36P15F109 | NDP610AE | IRFH7936PBF
History: FQA36P15F109 | NDP610AE | IRFH7936PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent