SL20N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL20N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 17 nC
   Tiempo de subida (tr): 430 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL20N10

SL20N10 Datasheet (PDF)

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sl20n10.pdf

SL20N10 N-Channel MOSFETFeatures Product Summary Super high density cell design VDS RDS(ON) MAX ID MAXfor extremely low RDS(ON) 80m@10VD2S1100V 20A Exceptional on-resistance and D1110m@4.5Vmaximum DC current capability ApplicationD Power Management in Note book DC/DC Converter Load Switch LCD Display inverter DGSTO-252 top v

9.1. Size:676K slkor
sl20n03.pdf

SL20N03 30V/20A N-Channel MOSFETFeatures Trench Power LV MOSFET technologyProduct Summary High density cell design for low RDS(ON)VDS RDS(ON) MAX ID MAX35m@10VD230V S1 20AD145m@4.5VApplication Battery protection Load switchD Power managementDDGS20N03 : Device code20N03XXXXXX : CodeTO-252 top viewSchematic diagramXXXXXXDS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: