SL20N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL20N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 430 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SL20N10
SL20N10 Datasheet (PDF)
sl20n10.pdf
SL20N10 N-Channel MOSFETFeatures Product Summary Super high density cell design VDS RDS(ON) MAX ID MAXfor extremely low RDS(ON) 80m@10VD2S1100V 20A Exceptional on-resistance and D1110m@4.5Vmaximum DC current capability ApplicationD Power Management in Note book DC/DC Converter Load Switch LCD Display inverter DGSTO-252 top v
sl20n03.pdf
SL20N03 30V/20A N-Channel MOSFETFeatures Trench Power LV MOSFET technologyProduct Summary High density cell design for low RDS(ON)VDS RDS(ON) MAX ID MAX35m@10VD230V S1 20AD145m@4.5VApplication Battery protection Load switchD Power managementDDGS20N03 : Device code20N03XXXXXX : CodeTO-252 top viewSchematic diagramXXXXXXDS
Другие MOSFET... SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , 75N75 , SL2102 , SL2192 , SL2302M , SL2309 , SL2309A , SL2314 , SL2318 , SL2319A .
History: SSPS924NE | BUZ908D | BUZ37 | BUZ907DP | JBE112T | UM6K34N
History: SSPS924NE | BUZ908D | BUZ37 | BUZ907DP | JBE112T | UM6K34N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318



