SL2102 Todos los transistores

 

SL2102 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL2102
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
     - Selección de transistores por parámetros

 

SL2102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1281K  slkor
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SL2102

SL2102N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 20V DS I 2.0AD R ( at V =4.5V) 68 mohmDS(ON) GS R ( at V =2.5V) 115 mohmDS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capabilityApplications PWM application Load switch Absolute Maximum Ratings (T =25un

 9.1. Size:217K  ape
 ap65sl210afi.pdf pdf_icon

SL2102

AP65SL210AFIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.21 Simple Drive Requirement ID3 16.2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL210AF series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve t

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History: PJP10NA65 | IRFH8337PBF | CM10N80P | VSE009NE6MS-G | SED8830MP | SQM100N10-10 | DH850N10

 

 
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