SL2102 Todos los transistores

 

SL2102 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL2102

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm

Encapsulados: SOT323

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SL2102 datasheet

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SL2102

SL2102 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 2.0A D R ( at V =4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 115 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute Maximum Ratings (T =25 un

 9.1. Size:217K  ape
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SL2102

AP65SL210AFI Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.21 Simple Drive Requirement ID3 16.2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65SL210AF series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve t

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