SL2102 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL2102
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
Тип корпуса: SOT323
SL2102 Datasheet (PDF)
sl2102.pdf
SL2102 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 2.0A D R ( at V =4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 115 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute Maximum Ratings (T =25 un
ap65sl210afi.pdf
AP65SL210AFI Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.21 Simple Drive Requirement ID3 16.2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65SL210AF series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve t
Другие MOSFET... SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , AO3400A , SL2192 , SL2302M , SL2309 , SL2309A , SL2314 , SL2318 , SL2319A , SL2328A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent



