SL25N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL25N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL25N10

SL25N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:859K slkor
sl25n10.pdf

SL25N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100V DSI 25A DR ( at V = 10V) 45mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Applications DC-DC Converters Power management functions Absolute Maximum Rat

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Liste

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