SL25N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL25N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO252

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SL25N10 datasheet

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SL25N10

SL25N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 25A D R ( at V = 10V) 45mohm DS(ON) GS General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON) Applications DC-DC Converters Power management functions Absolute Maximum Rat

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