SL25N10 Todos los transistores

 

SL25N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL25N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SL25N10 datasheet

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SL25N10

SL25N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 100V DS I 25A D R ( at V = 10V) 45mohm DS(ON) GS General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON) Applications DC-DC Converters Power management functions Absolute Maximum Rat

Otros transistores... SL2309A , SL2314 , SL2318 , SL2319A , SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , K2611 , SL2P03F , SL2P10A , SL30N02D , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 .

History: SW2N10 | AGM15T13A | AGM303MNA | JMH65R430AE | AGM302C1 | JMSL1010PE | HFS2N60

 

 
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