Справочник MOSFET. SL25N10

 

SL25N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL25N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SL25N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL25N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  slkor
 sl25n10.pdf pdf_icon

SL25N10

SL25N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100V DSI 25A DR ( at V = 10V) 45mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Applications DC-DC Converters Power management functions Absolute Maximum Rat

Другие MOSFET... SL2309A , SL2314 , SL2318 , SL2319A , SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , IRF9640 , SL2P03F , SL2P10A , SL30N02D , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 .

History: HFP730U | IRFNJ130

 

 
Back to Top

 


 
.