Справочник MOSFET. SL25N10

 

SL25N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL25N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SL25N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  slkor
 sl25n10.pdf pdf_icon

SL25N10

SL25N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100V DSI 25A DR ( at V = 10V) 45mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Applications DC-DC Converters Power management functions Absolute Maximum Rat

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STL110NS3LLH7 | SI7913DN | APT6035BVFR | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.