SL25N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL25N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SL25N10
SL25N10 Datasheet (PDF)
sl25n10.pdf
SL25N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100V DSI 25A DR ( at V = 10V) 45mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Applications DC-DC Converters Power management functions Absolute Maximum Rat
Другие MOSFET... SL2309A , SL2314 , SL2318 , SL2319A , SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , K2611 , SL2P03F , SL2P10A , SL30N02D , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 .
History: R5011ANX | IPA057N06N3G | AP2336GN-HF
History: R5011ANX | IPA057N06N3G | AP2336GN-HF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022


