SL2P10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL2P10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de SL2P10A MOSFET
SL2P10A Datasheet (PDF)
sl2p10a.pdf
SL2P10A -100V/-2A P-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Super Low Gate Charge650m@10VD2 Excellent Cdv/dt effect decline-100V S1 -2AD1700m@4.5V Green Device Available Advanced high cell density Trench technologyApplicationD Video monitor Power managementSGSOT-23 top view Schematic diagramAbsolute Maximum Ratin
Otros transistores... SL2318 , SL2319A , SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , SL25N10 , SL2P03F , RU7088R , SL30N02D , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 , SL4041 , SL40P05Y .
History: S70N08R | 2SK890
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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