SL2P10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL2P10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL2P10A

SL2P10A Datasheet (PDF)

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sl2p10a.pdf

SL2P10A -100V/-2A P-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Super Low Gate Charge650m@10VD2 Excellent Cdv/dt effect decline-100V S1 -2AD1700m@4.5V Green Device Available Advanced high cell density Trench technologyApplicationD Video monitor Power managementSGSOT-23 top view Schematic diagramAbsolute Maximum Ratin

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Liste

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