SL2P10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL2P10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de SL2P10A MOSFET
SL2P10A Datasheet (PDF)
sl2p10a.pdf

SL2P10A -100V/-2A P-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Super Low Gate Charge650m@10VD2 Excellent Cdv/dt effect decline-100V S1 -2AD1700m@4.5V Green Device Available Advanced high cell density Trench technologyApplicationD Video monitor Power managementSGSOT-23 top view Schematic diagramAbsolute Maximum Ratin
Otros transistores... SL2318 , SL2319A , SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , SL25N10 , SL2P03F , MMD60R360PRH , SL30N02D , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 , SL4041 , SL40P05Y .
History: GSM4925S | IPD30N12S3L-31 | 2SJ476-01S | UT3N06G-AB3-R | UPA2463T1Q | 2SK134 | BSC12DN20NS3G
History: GSM4925S | IPD30N12S3L-31 | 2SJ476-01S | UT3N06G-AB3-R | UPA2463T1Q | 2SK134 | BSC12DN20NS3G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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