SL2P10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL2P10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SL2P10A
SL2P10A Datasheet (PDF)
sl2p10a.pdf
SL2P10A -100V/-2A P-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Super Low Gate Charge650m@10VD2 Excellent Cdv/dt effect decline-100V S1 -2AD1700m@4.5V Green Device Available Advanced high cell density Trench technologyApplicationD Video monitor Power managementSGSOT-23 top view Schematic diagramAbsolute Maximum Ratin
Другие MOSFET... SL2318 , SL2319A , SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , SL25N10 , SL2P03F , RU7088R , SL30N02D , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 , SL4041 , SL40P05Y .
History: SL30N02D | BRCS2N65QF | NTJS4151PT1G
History: SL30N02D | BRCS2N65QF | NTJS4151PT1G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet


