Справочник MOSFET. SL2P10A

 

SL2P10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SL2P10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SL2P10A

 

 

SL2P10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:613K  slkor
 sl2p10a.pdf

SL2P10A SL2P10A

SL2P10A -100V/-2A P-Channel MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS RDS(ON) MAX ID MAX Super Low Gate Charge650m@10VD2 Excellent Cdv/dt effect decline-100V S1 -2AD1700m@4.5V Green Device Available Advanced high cell density Trench technologyApplicationD Video monitor Power managementSGSOT-23 top view Schematic diagramAbsolute Maximum Ratin

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STW32N65M5 | 2N65L-T2Q-T | IPB107N20N3G

 

 
Back to Top