SL30N02D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL30N02D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 393 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SL30N02D MOSFET
SL30N02D Datasheet (PDF)
sl30n02d.pdf

SL30N02D30V N-Channel Power MosfetGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 30V,ID =150ARDS(ON)2.8 m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON)4.4m(Typ) @ VGS =4.5VAdvanced Trench TechnologyProvide Excellent RDS(ON) and Low Ga
sl30n06d.pdf

SL30N06DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and SL30N06Ddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =30A RDS(ON)
Otros transistores... SL2319A , SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , SL25N10 , SL2P03F , SL2P10A , 2N7002 , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 , SL4041 , SL40P05Y , SL4184 .
History: GSM8451 | SSG4520H | UT3N06G-AB3-R | BSC12DN20NS3G | 2SK134 | 2SJ476-01S | UPA2463T1Q
History: GSM8451 | SSG4520H | UT3N06G-AB3-R | BSC12DN20NS3G | 2SK134 | 2SJ476-01S | UPA2463T1Q



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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