SL30N02D - описание и поиск аналогов

 

SL30N02D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL30N02D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SL30N02D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL30N02D даташит

 ..1. Size:2425K  slkor
 sl30n02d.pdf pdf_icon

SL30N02D

SL30N02D 30V N-Channel Power Mosfet General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 30V,ID =150A RDS(ON) 2.8 m (Typ) @ VGS =10V RDS(ON) 4.4m (Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Provide Excellent RDS(ON) and Low Ga

 8.1. Size:1591K  slkor
 sl30n06d.pdf pdf_icon

SL30N02D

SL30N06D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and SL30N06D design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =30A RDS(ON)

Другие MOSFET... SL2319A , SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , SL25N10 , SL2P03F , SL2P10A , MMIS60R580P , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 , SL4041 , SL40P05Y , SL4184 .

History: SML20T75

 

 

 

 

↑ Back to Top
.