SL30N02D - аналоги и даташиты транзистора

 

SL30N02D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SL30N02D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SL30N02D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL30N02D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2425K  slkor
 sl30n02d.pdf pdf_icon

SL30N02D

SL30N02D30V N-Channel Power MosfetGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 30V,ID =150ARDS(ON)2.8 m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON)4.4m(Typ) @ VGS =4.5VAdvanced Trench TechnologyProvide Excellent RDS(ON) and Low Ga

 8.1. Size:1591K  slkor
 sl30n06d.pdf pdf_icon

SL30N02D

SL30N06DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and SL30N06Ddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =30A RDS(ON)

Другие MOSFET... SL2319A , SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , SL25N10 , SL2P03F , SL2P10A , MMIS60R580P , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 , SL4041 , SL40P05Y , SL4184 .

History: NTJS4151PT1G | BRCS2N65QF

 

 
Back to Top

 


 
.