SL30N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL30N06D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 47 nC
Tiempo de subida (tr): 2.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL30N06D
SL30N06D Datasheet (PDF)
sl30n06d.pdf
SL30N06DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and SL30N06Ddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =30A RDS(ON)
sl30n02d.pdf
SL30N02D30V N-Channel Power MosfetGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 30V,ID =150ARDS(ON)2.8 m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON)4.4m(Typ) @ VGS =4.5VAdvanced Trench TechnologyProvide Excellent RDS(ON) and Low Ga
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