SL30N06D Todos los transistores

 

SL30N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL30N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SL30N06D Datasheet (PDF)

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SL30N06D

SL30N06DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and SL30N06Ddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =30A RDS(ON)

 8.1. Size:2425K  slkor
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SL30N06D

SL30N02D30V N-Channel Power MosfetGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 30V,ID =150ARDS(ON)2.8 m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON)4.4m(Typ) @ VGS =4.5VAdvanced Trench TechnologyProvide Excellent RDS(ON) and Low Ga

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STH185N10F3-6 | H02N60I | P9515BD | AP9563GK | HM4612 | KPCF8402 | OSG80R900FF

 

 
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