Справочник MOSFET. SL30N06D

 

SL30N06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL30N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SL30N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL30N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1591K  slkor
 sl30n06d.pdf pdf_icon

SL30N06D

SL30N06DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and SL30N06Ddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =30A RDS(ON)

 8.1. Size:2425K  slkor
 sl30n02d.pdf pdf_icon

SL30N06D

SL30N02D30V N-Channel Power MosfetGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 30V,ID =150ARDS(ON)2.8 m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON)4.4m(Typ) @ VGS =4.5VAdvanced Trench TechnologyProvide Excellent RDS(ON) and Low Ga

Другие MOSFET... SL2328A , SL2333A , SL2343 , SL2347 , SL25N10 , SL2P03F , SL2P10A , SL30N02D , HY1906P , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 , SL4041 , SL40P05Y , SL4184 , SL4406 .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.