FDS4141F085 Todos los transistores

 

FDS4141F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS4141F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de FDS4141F085 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDS4141F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:251K  fairchild semi
 fds4141 f085.pdf pdf_icon

FDS4141F085

May 2009FDS4141_F085P-Channel PowerTrench MOSFET-40V, -10.8A, 19.0m Applications Features Control switch in synchronous & non-synchronous buck Typ rDS(on) = 10.5m at VGS = -10V, ID = -10.5A Load switch Typ rDS(on) = 14.8m at VGS = -4.5V, ID = -8.4A Inverter Typ Qg(TOT) = 35nC at VGS = -10V High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS

 7.2. Size:219K  fairchild semi
 fds4141.pdf pdf_icon

FDS4141F085

November 2007FDS4141P-Channel PowerTrench MOSFET -40V, -10.8A, 13.0mFeatures General Description Max rDS(on) = 13.0m at VGS = -10V, ID = -10.5A This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductors proprietary PowerTrench technology to Max rDS(on) = 19.0m at VGS = -4.5V, ID = -8.4Adeliver low rDS(on) and optimized BVDSS capability to offer Hi

Otros transistores... FDS3672 , STF2454 , FDS3692 , STF06N20 , FDS3890 , FDS3992 , STE339S , FDS4141 , P0903BDG , FDS4435BZ , FDS4435BZF085 , FDS4465 , FDS4465F085 , FDS4470 , FDS4488 , STD12L01 , FDS4501H .

History: HFS10N80A | FDS4435BZF085 | CM18N50F | STB432S | 2SK4177 | SDF04N65

 

 
Back to Top

 


 
.