Справочник MOSFET. FDS4141F085

 

FDS4141F085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDS4141F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
   Время нарастания (tr): 4.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 355 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для FDS4141F085

 

 

FDS4141F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:251K  fairchild semi
fds4141 f085.pdf

FDS4141F085 FDS4141F085

May 2009FDS4141_F085P-Channel PowerTrench MOSFET-40V, -10.8A, 19.0m Applications Features Control switch in synchronous & non-synchronous buck Typ rDS(on) = 10.5m at VGS = -10V, ID = -10.5A Load switch Typ rDS(on) = 14.8m at VGS = -4.5V, ID = -8.4A Inverter Typ Qg(TOT) = 35nC at VGS = -10V High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS

 7.2. Size:219K  fairchild semi
fds4141.pdf

FDS4141F085 FDS4141F085

November 2007FDS4141P-Channel PowerTrench MOSFET -40V, -10.8A, 13.0mFeatures General Description Max rDS(on) = 13.0m at VGS = -10V, ID = -10.5A This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductors proprietary PowerTrench technology to Max rDS(on) = 19.0m at VGS = -4.5V, ID = -8.4Adeliver low rDS(on) and optimized BVDSS capability to offer Hi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top