Справочник MOSFET. FDS4141F085

 

FDS4141F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS4141F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS4141F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4141F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:251K  fairchild semi
 fds4141 f085.pdf pdf_icon

FDS4141F085

May 2009FDS4141_F085P-Channel PowerTrench MOSFET-40V, -10.8A, 19.0m Applications Features Control switch in synchronous & non-synchronous buck Typ rDS(on) = 10.5m at VGS = -10V, ID = -10.5A Load switch Typ rDS(on) = 14.8m at VGS = -4.5V, ID = -8.4A Inverter Typ Qg(TOT) = 35nC at VGS = -10V High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS

 7.2. Size:219K  fairchild semi
 fds4141.pdf pdf_icon

FDS4141F085

November 2007FDS4141P-Channel PowerTrench MOSFET -40V, -10.8A, 13.0mFeatures General Description Max rDS(on) = 13.0m at VGS = -10V, ID = -10.5A This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductors proprietary PowerTrench technology to Max rDS(on) = 19.0m at VGS = -4.5V, ID = -8.4Adeliver low rDS(on) and optimized BVDSS capability to offer Hi

Другие MOSFET... FDS3672 , STF2454 , FDS3692 , STF06N20 , FDS3890 , FDS3992 , STE339S , FDS4141 , P0903BDG , FDS4435BZ , FDS4435BZF085 , FDS4465 , FDS4465F085 , FDS4470 , FDS4488 , STD12L01 , FDS4501H .

History: FDS4470

 

 
Back to Top

 


 
.