SL4813A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4813A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 2 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
- Selección de transistores por parámetros
SL4813A Datasheet (PDF)
sl4813a.pdf

SL4813AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V -30VDS ID -7.1A R ( at VGS=-10V)DS(ON)25mohm R ( at VGS=-4.5V)DS(ON) 40mohm 100% V TestedDSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low RDS(ON) High Speed switchingApplications Battery protection
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SI2202 | SIHF10N40D
History: SI2202 | SIHF10N40D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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