SL4813A Todos los transistores

 

SL4813A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL4813A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 2 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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SL4813A Datasheet (PDF)

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SL4813A

SL4813AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V -30VDS ID -7.1A R ( at VGS=-10V)DS(ON)25mohm R ( at VGS=-4.5V)DS(ON) 40mohm 100% V TestedDSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low RDS(ON) High Speed switchingApplications Battery protection

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History: DH009N02B | HFU5N60F | NP16N04YUG | LNC06R230 | SM6012NSK | CEF04N7G | IRFB4215PBF

 

 
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