SL4813A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL4813A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SL4813A Datasheet (PDF)
sl4813a.pdf

SL4813AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V -30VDS ID -7.1A R ( at VGS=-10V)DS(ON)25mohm R ( at VGS=-4.5V)DS(ON) 40mohm 100% V TestedDSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low RDS(ON) High Speed switchingApplications Battery protection
Другие MOSFET... SL4407A , SL4409N , SL4410 , SL4421 , SL4435A , SL4449A , SL4459 , SL4614 , IRF1404 , SL4822A , SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D .
History: IPD100N04S4-02
History: IPD100N04S4-02



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239