SL50P06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL50P06D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 270 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 114 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 258 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SL50P06D Datasheet (PDF)
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SL50P06DP-Channel 60V (D-S) MOSFETDescriptionThis P-Channel MOSFET uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge.DS(on)DIt can be used in a wide variety of applications.FeaturesGS1) V =-60V,I =-50A,R
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