SL50P06D Todos los transistores

 

SL50P06D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL50P06D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO252

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SL50P06D datasheet

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SL50P06D

SL50P06D P-Channel 60V (D-S) MOSFET Description This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. DS(on) D It can be used in a wide variety of applications. Features G S 1) V =-60V,I =-50A,R

Otros transistores... SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , IRFB4115 , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 .

History: AGM60P90D | 1D5N60 | DMJ70H1D0SV3

 

 

 

 

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