SL50P06D - описание и поиск аналогов

 

SL50P06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL50P06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SL50P06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL50P06D даташит

 ..1. Size:3110K  slkor
 sl50p06d.pdf pdf_icon

SL50P06D

SL50P06D P-Channel 60V (D-S) MOSFET Description This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. DS(on) D It can be used in a wide variety of applications. Features G S 1) V =-60V,I =-50A,R

Другие MOSFET... SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , IRFB4115 , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 .

History: D4NK50Z-TO252

 

 

 

 

↑ Back to Top
.