Справочник MOSFET. SL50P06D

 

SL50P06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL50P06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SL50P06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL50P06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3110K  slkor
 sl50p06d.pdf pdf_icon

SL50P06D

SL50P06DP-Channel 60V (D-S) MOSFETDescriptionThis P-Channel MOSFET uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge.DS(on)DIt can be used in a wide variety of applications.FeaturesGS1) V =-60V,I =-50A,R

Другие MOSFET... SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , IRFP250N , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 .

History: SM4804DSK | 6N80G-TA3-T | 2SK2525-01 | 2SK4067I | LNC045R090 | IRF7726PBF | PH3230S

 

 
Back to Top

 


 
.