SL50P06D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL50P06D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 270 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 114 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 258 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO252
SL50P06D Datasheet (PDF)
..1. Size:3110K slkor
sl50p06d.pdf
sl50p06d.pdf
SL50P06DP-Channel 60V (D-S) MOSFETDescriptionThis P-Channel MOSFET uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge.DS(on)DIt can be used in a wide variety of applications.FeaturesGS1) V =-60V,I =-50A,R
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
