SL5N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL5N50D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 98.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 18.5 nC
Tiempo de subida (tr): 49 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL5N50D
SL5N50D Datasheet (PDF)
sl5n50d.pdf
SL5N50DN-Channel MOSFETFEATURES R (Max 1.5) @V =10V DS(ON) GS Gate Charge (Typical 18.5nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested TO-252 MAXIMUM RATING operating temperature range applies unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units V Drain-Source voltage(V =0) 500 V DSS GSV Gate -Source voltage 30 V GSS I Drain current (conti
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .