SL5N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL5N50D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SL5N50D MOSFET
SL5N50D Datasheet (PDF)
sl5n50d.pdf
SL5N50DN-Channel MOSFETFEATURES R (Max 1.5) @V =10V DS(ON) GS Gate Charge (Typical 18.5nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested TO-252 MAXIMUM RATING operating temperature range applies unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units V Drain-Source voltage(V =0) 500 V DSS GSV Gate -Source voltage 30 V GSS I Drain current (conti
Otros transistores... SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , IRF9540 , SL607B , SL6244 , SL6800C , SL80N03 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H .
History: MSF7N60 | NCE3008M
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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