Справочник MOSFET. SL5N50D

 

SL5N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL5N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SL5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  slkor
 sl5n50d.pdf pdf_icon

SL5N50D

SL5N50DN-Channel MOSFETFEATURES R (Max 1.5) @V =10V DS(ON) GS Gate Charge (Typical 18.5nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested TO-252 MAXIMUM RATING operating temperature range applies unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units V Drain-Source voltage(V =0) 500 V DSS GSV Gate -Source voltage 30 V GSS I Drain current (conti

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: APT12040JVR | SI7960DP | JFUX5N50D | AP93T03AGH-HF | IRF630FP | WST8205 | FRL9130H

 

 
Back to Top

 


 
.