Справочник MOSFET. SL5N50D

 

SL5N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL5N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SL5N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  slkor
 sl5n50d.pdf pdf_icon

SL5N50D

SL5N50DN-Channel MOSFETFEATURES R (Max 1.5) @V =10V DS(ON) GS Gate Charge (Typical 18.5nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested TO-252 MAXIMUM RATING operating temperature range applies unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units V Drain-Source voltage(V =0) 500 V DSS GSV Gate -Source voltage 30 V GSS I Drain current (conti

Другие MOSFET... SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , 7N65 , SL607B , SL6244 , SL6800C , SL80N03 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H .

History: MDP5N50TH | IRFP442R | IRF7452Q | H2N7002KSN | IPU80R2K8CE | IRF1010ZLPBF | SHDC220301

 

 
Back to Top

 


 
.