SL5N50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL5N50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 98.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18.5 nC
Время нарастания (tr): 49 ns
Выходная емкость (Cd): 75 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
SL5N50D Datasheet (PDF)
..1. Size:522K slkor
sl5n50d.pdf
sl5n50d.pdf
SL5N50DN-Channel MOSFETFEATURES R (Max 1.5) @V =10V DS(ON) GS Gate Charge (Typical 18.5nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested TO-252 MAXIMUM RATING operating temperature range applies unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units V Drain-Source voltage(V =0) 500 V DSS GSV Gate -Source voltage 30 V GSS I Drain current (conti
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
