SL6800C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL6800C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL6800C

SL6800C Datasheet (PDF)

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sl6800c.pdf

SL6800CN-Channel Power MosfetProduct Summary30 VVDS90 mRDS(ON)@10V,MAXD2S12 AIDD1G2S2G1FEATURES Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFET Low Gate Charge Low On-resistance Surface Mount PackageAbsolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)Symbol Parameter Rating UnitCommon Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted)VGS Gat

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Liste

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