SL6800C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL6800C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.3 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: SOT23-6L
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SL6800C datasheet
sl6800c.pdf
SL6800C N-Channel Power Mosfet Product Summary 30 V VDS 90 m RDS(ON)@10V,MAX D2 S1 2 A ID D1 G2 S2 G1 FEATURES Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFET Low Gate Charge Low On-resistance Surface Mount Package Absolute Maximum Ratings (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25 C Unless Otherwise Noted) VGS Gat
Otros transistores... SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , 2SK3878 , SL80N03 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R .
History: SLH60R075GTDI | AP4800AGM | FDS8880 | RDD020N60
History: SLH60R075GTDI | AP4800AGM | FDS8880 | RDD020N60
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