SL6800C Todos los transistores

 

SL6800C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL6800C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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SL6800C Datasheet (PDF)

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SL6800C

SL6800CN-Channel Power MosfetProduct Summary30 VVDS90 mRDS(ON)@10V,MAXD2S12 AIDD1G2S2G1FEATURES Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFET Low Gate Charge Low On-resistance Surface Mount PackageAbsolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)Symbol Parameter Rating UnitCommon Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted)VGS Gat

Otros transistores... SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , 2SK3878 , SL80N03 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R .

History: PSMN3R9-25MLC | HM45P02D | HM4606A | TK09H90A | SL4459

 

 
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